FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: FQB19N20LTM
Ном. номер: 8104316849
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 В
Фото 2/3 FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 ВФото 3/3 FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 В
Доступно на заказ 225 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
140 руб. × = 700 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 111 руб.
от 100 шт. — 101 руб.

Описание

The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical low gate charge
• 30pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263AB
Рассеиваемая Мощность
3.13Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Непрерывный Ток Стока
21А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.11Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQB19N20LTM
Datasheet FQB19N20LTM
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin D2PAK