FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: FQB19N20LTM
Ном. номер: 8104316849
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQB19N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 200 В, 0.11 Ом, 10 В, 2 В
Доступно на заказ 1325 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
120 × = 120
от 10 шт. — 85 руб.
от 25 шт. — 79 руб.

Описание

The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical low gate charge
• 30pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263AB
Рассеиваемая Мощность
3.13Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Непрерывный Ток Стока
21А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.11Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQB19N20LTM