FQB19N20LTM, Транзистор полевой N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

80 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 12 шт. — 72 руб.

от 24 шт. — 66 руб.

от 48 шт. — 63 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 480 руб.

Номенклатурный номер: 8818492579

Артикул: FQB19N20LTM

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт

Корпус	D2Pak(TO-263)
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	800
Fall Time	180 ns
Forward Transconductance - Min	18.5 S
Height	4.83 mm
Id - Continuous Drain Current	21 A
Length	10.67 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	FQB19N20LTM_NL
Pd - Power Dissipation	3.13 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	140 mOhms
Rise Time	300 ns
RoHS	Details
Series	FQB19N20L
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	35 ns
Unit Weight	0.046296 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	9.65 mm
Вес, г	1.2

pdf, 1041 КБ

Мы рекомендуем