Мой регион: Россия

FQB19N20LTM

Ном. номер: 9000432715
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FQB19N20LTM
Фото 2/2 FQB19N20LTM
150 руб.
1146 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 130 руб.
от 100 шт. — 103 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
86 руб. 4 дня, 800 шт. 1 шт. 7 шт.
от 13 шт. — 60 руб.
от 26 шт. — 55 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical low gate charge
• 30pF Typical low Crss

Дополнительная информация

Datasheet FQB19N20LTM

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.