FQB5N90TM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 970 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 84W8878)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.6 S |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FQB5N90TM_NL |
| Pd - Power Dissipation | 3.13 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 Ohms |
| Rise Time | 65 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FQB5N90 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 28 ns |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.65 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
FQB5N90TM
pdf, 768 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
