Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]

FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

от 15 шт. — 240 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Номенклатурный номер: 9050001558

Артикул: FQD12N20LTM

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4