FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]

FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001231187
Артикул
FQD13N10LTM
PartNumber
UMW FQD13N10LTM
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
8.7
Корпус
dpak
Вес, г
0.4
Все параметры
Datasheet UMW FQD13N10L
pdf, 848 КБ
2729 шт. со склада г.Москва
28 руб.
от 15 шт.26 руб.
от 150 шт.24 руб.
1 шт. на сумму 28 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R аналог:FQD13N10LTM

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 142 мОм/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 8.7
Корпус dpak
Пороговое напряжение на затворе 1…2
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet UMW FQD13N10L
pdf, 848 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.