FQD19N10LTM, МОП-транзистор, N Канал, 15.6 А, 100 В, 0.074 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: FQD19N10LTM
Ном. номер: 8033794057
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQD19N10LTM, МОП-транзистор, N Канал, 15.6 А, 100 В, 0.074 Ом, 10 В, 2 В
Доступно на заказ 139 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
62 руб. × = 62 руб.
от 25 шт. — 56 руб.
от 50 шт. — 35 руб.

Описание

The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Рассеиваемая Мощность
50Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
15.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.074Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQD19N10LTM