FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]

Артикул: FQD19N10LTM
Ном. номер: 9000316752
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Фото 2/4 FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]Фото 3/4 FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]Фото 4/4 FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Доступно на заказ 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
170 руб. × = 850 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

FQD19N10L
pdf, 1406 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FQD19N10LTM
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin DPAK