FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
![Фото 1/4 FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
от 15 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 9,8А, 50Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/7.8А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 14 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
