FQD2N60CTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.9 А, 600 В, 3.6 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: FQD2N60CTM
Ном. номер: 8082475940
Производитель: ON Semiconductor
FQD2N60CTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.9 А, 600 В, 3.6 Ом, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 451 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
68 руб. × = 68 руб.
от 25 шт. — 60 руб.
от 50 шт. — 38 руб.

Описание

The FQD2N60CTM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (8.5nC)
• Low Crss (4.3pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Рассеиваемая Мощность
44Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Непрерывный Ток Стока
1.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
3.6Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQD2N60CTM