FQD8P10TM-F085, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 6.6 А, 0.41 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
245 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.41Ом |
| Power Dissipation | 44Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 6.6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 44Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.41Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.6 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | FQD8P10TM_F085 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 530 mOhms |
| Series: | FQD8P10TM_F085 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | QFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 761 КБ
Datasheet FQD8P10TM-F085
pdf, 673 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
