FQP13N10, МОП-транзистор, N Канал, 12.8 А, 100 В, 0.142 Ом, 10 В, 4 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
301 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
