Мой регион: Россия

FQP20N06L

Ном. номер: 8178504283
PartNumber: FQP20N06L
Производитель: ON Semiconductor
FQP20N06L
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
991 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 60 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
43 руб. 5 дней, 583 шт. 1 шт. 18 шт.
от 50 шт. — 35 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
27.10 руб. 3-4 недели, 2000 шт. 1000 шт. 1000 шт.
от 2000 шт. — 26.90 руб.
61 руб. 3-4 недели, 2448 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 56 руб.
от 25 шт. — 49.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
53 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
9.4мм
Размеры
10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.1мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
35 ns
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,5 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.