Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В ...

FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

от 15 шт. — 268 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.

Номенклатурный номер: 9020001998

Артикул: FQP27P06

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор полевой FQP27P06 от производителя ONSEMI – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для сборки электронных схем с использованием технологии THT (сквозного монтажа). Основные характеристики данного полупроводника включают ток стока 27 А и напряжение сток-исток 60 В, что позволяет использовать его в среднем и высоком напряжении. Мощность транзистора достигает 120 Вт, обеспечивая надежную и стабильную работу в широком диапазоне применений. Корпус TO220 обеспечивает удобство монтажа и хороший теплоотвод. Транзистор FQP27P06 станет отличным выбором для разработчиков, ищущих надежные компоненты для своих электронных проектов. Код товара для поиска на сайте: FQP27P06. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	27
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	120
Корпус	TO220

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.07 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	120
Крутизна характеристики, S	12.4
Корпус	to-220
Пороговое напряжение на затворе	-4
Вес, г	2.5