FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]

Артикул: FQP2N60C
Ном. номер: 2595021991
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Фото 2/4 FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]Фото 3/4 FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]Фото 4/4 FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
38 руб. × = 38 руб.
от 50 шт. — 32 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FQP2N60C is a 600V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

FQP2N60C datasheet
pdf, 831 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FQP2N60C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов