Мой регион: Россия

FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]

Ном. номер: 9000373586
Артикул: FQP65N06
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
Фото 2/3 FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]Фото 3/3 FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
163 руб.
1094 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 145 руб.
от 100 шт. — 119 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 8 дней, 1190 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 160 руб.
от 100 шт. — 117 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FQP65N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating

Технические параметры

Структура
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

Дополнительная информация

Datasheet FQP65N06

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.