FQP8P10, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 100 В, 8 А, 0.41 Ом, TO-220, Through Hole
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
195 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 610 руб.
Описание
100V 8A 530mΩ@10V,4A 65W 4V@250uA P Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 8A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 530mΩ@10V, 4A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 470pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 65W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 791 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов