FQS4903TF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 370 мА, 500 В, 6.2 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: FQS4903TF
Ном. номер: 8000473909
Производитель: ON Semiconductor
Доступно на заказ 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
130 руб. × = 130 руб.
от 25 шт. — 110 руб.

Описание

The FQS4903TF is a N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. The device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge
• Low Crss (4.5pF)
• 100% Avalanche tested
• ±25V Gate to source voltage
• 0.37A Continuous drain current
• 0.234A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
370мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
6.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQS4903TF