FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
![Фото 1/3 FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
от 50 шт. —
52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,68А, 2,2Вт, SOT223 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.85 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/0.425, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.2 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Документация
pdf, 835 КБ
Datasheet FQT4N20L
pdf, 743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
