FQT4N25TF, МОП-транзистор, N Канал, 830 мА, 250 В, 1.38 Ом, 10 В, 5 В

PartNumber: FQT4N25TF
Ном. номер: 8092816243
Производитель: ON Semiconductor
FQT4N25TF, МОП-транзистор, N Канал, 830 мА, 250 В, 1.38 Ом, 10 В, 5 В
Доступно на заказ 273 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
44 руб. × = 44 руб.
от 25 шт. — 41 руб.
от 50 шт. — 27 руб.

Описание

The FQT4N25TF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 4.3nC Typical low gate charge
• 4.8pF Typical low Crss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
250В
Непрерывный Ток Стока
830мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.38Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet FQT4N25TF