FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -100 В, 820 мОм, -10 В, -4 В

PartNumber: FQT5P10TF
Ном. номер: 8072539693
Производитель: Fairchild Semiconductor
FQT5P10TF, МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -100 В, 820 мОм, -10 В, -4 В
Доступно на заказ 845 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
18 руб. × = 90 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

The FQT5P10TF is a -100V P-channel QFET® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.

• Low gate charge (typical 6.3nC)
• Low Crss (typical 18pF)
• 100% Avalanche tested
• ±30V Gate to source voltage
• 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-100В
Непрерывный Ток Стока
-1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.82Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-4В

Дополнительная информация

Datasheet FQT5P10TF