FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]

Артикул: FQU11P06TU
Ном. номер: 9000019993
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]
Фото 2/3 FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]Фото 3/3 FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
28 руб. × = 28 руб.
от 10 шт. — 22 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
Цена и наличие в магазинах


Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

FQU11P06TU datasheet
pdf, 370 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FQU11P06TU
Datasheet FQU11P06TU
Datasheet FQU11P06TU