FS200R12KT4R, IGBT Transistors / Modules ROHS
Номенклатурный номер
8011033165
Артикул
FS200R12KT4R
Brand:
Infineon Technologies
Configuration:
6-Pack
Factory Pack Quantity:
10
Gate-Emitter Leakage Current:
400 nA
Manufacturer:
Infineon
Все параметры
Datasheet
pdf, 895 КБ
Все документы
7 шт., срок 8-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, Магнит Пост, Яндекс Доставка, СДЭК!
20 720 руб.
1 шт.
на сумму 20 720 руб.
Плати частями
от 5 180 руб. × 4 платежа
от 5 180 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Configuration: | 6-Pack |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 280 A |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000715004 FS200R12KT4RBOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 kW |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
