Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › FSB560, Биполярный транзистор, NPN, 60 В ...

FSB560, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 500 мВт, SuperSOT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

96 руб.

Мин. кол-во для заказа 30 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 62 руб.

Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 880 руб.

Номенклатурный номер: 8001718884

Артикул: FSB560

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Low Saturation

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	2А
DC Current Gain hFE Min	40hFE
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	75МГц
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.92 mm
Другие названия товара №	FSB560_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	350 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	75 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FSB560
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок	SuperSOT-3
Ширина	1.4 mm
Вес, г	0.5