FZT558TA, Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Фото 1/5 FZT558TA, Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
56 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 56 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001010945
Артикул: FZT558TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.75
PCB changed 3
Package Height 1.6
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Tab Tab
Package Width 3.5
Package Length 6.5
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 400
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 3000
Maximum Transition Frequency (MHz) 50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-223
Pin Count 4
Standard Package Name SOT
Military No
Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT558
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Base Product Number FZT558 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 50MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Maximum Collector Base Voltage 400 V
Maximum Collector Emitter Voltage -400 V
Maximum DC Collector Current -200 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 50 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Package Type SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 541 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 151 КБ
Datasheet FZT558TA
pdf, 502 КБ
Datasheet FZT558TA
pdf, 504 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов