Мой регион: Россия

FZT658TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 50 МГц, 3 Вт, 500 мА, 50 hFE

Ном. номер: 8001608496
PartNumber: FZT658TA
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 FZT658TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 50 МГц, 3 Вт, 500 мА, 50 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FZT658TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 50 МГц, 3 Вт, 500 мА, 50 hFE
85 руб.
1089 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 69 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
75 руб. 10 дней, 150 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 47 руб.
57 руб. 3-4 недели, 772 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 48.10 руб.
от 25 шт. — 47.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
High Voltage Transistors, Diodes Inc

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
50 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
400 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 V
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
1.65мм
Число контактов
3 + Tab
Размеры
1.65 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Вес, г
0.112

Дополнительная информация

Datasheet FZT658TA

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.