FZT855TA, NPN high current transist

PartNumber: FZT855TA
Ном. номер: 8070175960
Производитель: Diodes Incorporated
FZT855TA, NPN high current transist
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
130 руб. × = 650 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 81 руб.
от 50 шт. — 63.20 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Over 1.5A, Diodes Inc

Bipolar Transistors, Diodes Inc

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Collector
размеры
1.65 x 6.7 x 3.7mm
высота
1.65mm
длина
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Collector Emitter Voltage
150 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
90 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
3 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-223
Pin Count
4
ширина
3.7mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.25 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.355 V
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

FZT855 SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT TRANSISTOR Data Sheet FZT855TA