GD150HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 230 А, 2.9 В, 1.179 кВт, 125 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт., срок 8-10 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

30 970 руб.

от 5 шт. — 29 030 руб.

от 10 шт. — 27 140 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 30 970 руб.

Номенклатурный номер: 8006835281

Артикул: GD150HHU120C6S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	2.9В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	230А
DC Ток Коллектора	230А
Power Dissipation	1.179кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	H Bridge
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.9В
Рассеиваемая Мощность	1.179кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г	300

pdf, 358 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем