GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Артикул: GT50JR22(STA1,E,S)
Ном. номер: 9000339627
Производитель: Toshiba
Фото 1/2 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Фото 2/2 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 28 декабря 2018 г. — 976 шт.
800 руб.
Доступно на заказ 75 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
2-3 недели
от 10 шт. — 350 руб.
от 50 шт. — 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 руб.
IGBT Discretes, Toshiba

Техническая документация

GT50JR22
pdf, 193 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.