GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Фото 2/3 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]Фото 3/3 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Фото 1/3 GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
123 шт. со склада г.Екатеринбург
Ожидается на склад г.Москва: 6 августа 2021 г. — 2 981 шт.
160 руб.
от 15 шт.149 руб.
от 150 шт.146 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000339627
Артикул: GT50JR22(STA1,E,S)
Производитель: Toshiba

Описание

IGBT Discretes, Toshiba

Технические параметры

Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-3p(n)
Вес, г 6.5

Техническая документация

GT50JR22
pdf, 193 КБ

Дополнительная информация

Datasheet GT50JR22(STA1,E,S)
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах