GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4485 шт. со склада г.Москва

240 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.

Номенклатурный номер: 9000339627

Артикул: GT50JR22(STA1,E,S)

Бренд: Toshiba

Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine

pdf, 1680 КБ

pdf, 201 КБ

pdf, 193 КБ

pdf, 202 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

С этим товаром покупают

ST Microelectronics

3 120 руб.

ProsKit

1 800 руб.

Россия

2 150 руб.

MEAN WELL

3 090 руб.

Китай

4 050 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Gen 6.5
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	50
Импульсный ток коллектора (Icm), А	100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	330
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-3P(N)
Вес, г	6.5