GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9500050462

Артикул

GT60N321

Бренд

Технология/семейство

Gen 4

Наличие встроенного диода

Да

Максимальное напряжение КЭ ,В

1000

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Корпус

2-21F2C

Все параметры

pdf, 211 КБ

82 шт. со склада г.Москва

1 000 руб.

1 шт. на сумму 1 000 руб.

Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа

Описание Отзывы

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Gen 4
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	700
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	2-21F2C
Вес, г	9.8