HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]

Артикул: HGT1S7N60C3DS9A
Ном. номер: 9000119191
Производитель: Fairchild Semiconductor
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
87 руб. × = 87 руб.
от 3 шт. — 68 руб.
от 30 шт. — 67 руб.
Цена и наличие в магазинах

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-40…150
Корпус

Техническая документация

HGT1S7N60C3DS
pdf, 557 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов