HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]

HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
137 шт. со склада г.Москва
75 руб.
от 15 шт.60 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 75 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000119191
Артикул: HGT1S7N60C3DS9A
Страна происхождения: КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Производитель: Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство ufs
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 14
Импульсный ток коллектора (Icm), А 56
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 60
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус TO-263AB
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 5
Вес, г 2.5

Техническая документация

HGT1S7N60C3DS
pdf, 557 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах