HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247], ON Semiconductor

IGBT, N; DC Collector Current:43A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:298W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Ic Continuous a Max:43A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:298W; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV

Технология/семейство	NPT
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	43
Импульсный ток коллектора (Icm), А	80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	180
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	to-247
Вес, г	7.5

HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация