HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
![HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 15 шт. —
462 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Технические параметры
Технология/семейство | SMPS Series | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 54 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 96 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 167 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 96 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | to-247 | |
Вес, г | 7.5 | |
Техническая документация
HGTG12N60A4D_Datasheet
pdf, 173 КБ
HGT1S12N60A4DS_D
pdf, 581 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают