HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]

HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 15 шт.265 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 9000044255
Артикул: HGTG12N60A4D

Описание

IGBT, TO-247; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:54A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG12N60A4D; Fall Time tf:18ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:167W; Pulsed Current Icm:96A; Rise Time:16ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V

Технические параметры

Технология/семейство SMPS Series
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 96
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG12N60A4D_Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 579 КБ
HGT1S12N60A4DS_D
pdf, 581 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов