HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]

Фото 2/3 HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]Фото 3/3 HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
Фото 1/3 HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
819 шт. со склада г.Москва
260 руб.
от 15 шт.232 руб.
от 150 шт.230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000044255
Артикул: HGTG12N60A4D
Производитель: ON Semiconductor

Описание

125 ° C Время падения

Технические параметры

Технология/семейство SMPS
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 96
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG12N60A4D_Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet
pdf, 581 КБ
Datasheet HGTG12N60A4D
pdf, 274 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах