HGTG12N60C3D, БТИЗ транзистор, 24 А, 1.8 В, 104 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: HGTG12N60C3D
Ном. номер: 8097144333
Производитель: ON Semiconductor
HGTG12N60C3D, БТИЗ транзистор, 24 А, 1.8 В, 104 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 141 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
790 руб. × = 790 руб.
от 5 шт. — 580 руб.
от 20 шт. — 543 руб.

Описание

The HGTG12N60C3D is a N-channel IGBT with anti-parallel hyperfast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately 25 and 150°C. The IBGT used is the development type TA49123. The diode in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49061. It is ideal for high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.

• Short-circuit rating
• 210ns Fall time @ TJ = 150°C
• 104W Total power dissipation @ TC = 25°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
104Вт
DC Ток Коллектора
24А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.8В

Дополнительная информация

Datasheet HGTG12N60C3D
Datasheet HGTG12N60C3D