HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247

Артикул: HGTG20N60A4
Ном. номер: 9000024624
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247
Фото 2/2 HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Ожидается поступление на склад г.Москва: 7 апреля 2017 г. — 200 шт., 18 апреля 2017 г. — 400 шт.
Возможна срочная доставка сегодня
200 × = 200
от 5 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 156 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG20N60A4 is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 55ns at TJ = 125°C Fall time

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Управляющее напряжение,В
5.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

HGTG20N60A4
pdf, 140 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG20N60A4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов