HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247]
![Фото 1/2 HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210811.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

760 руб.
от 15 шт. —
714 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 руб.
Описание
IGBT, N, TO-247; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG20N60A4; Fall Time tf:32ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:290W; Power Dissipation Ptot Max:290W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:12ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V
Технические параметры
Технология/семейство | SMPS Series | |
Наличие встроенного диода | нет | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 70 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 280 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 73 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | to-247 | |
Вес, г | 7.5 | |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают