HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247

Артикул: HGTG20N60A4
Ном. номер: 9000024624
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247
Фото 2/3 HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247Фото 3/3 HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
200 руб. × = 200 руб.
от 5 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 156 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Управляющее напряжение,В
5.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

HGTG20N60A4
pdf, 140 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG20N60A4
Datasheet HGTG20N60A4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов