HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247], ON Semiconductor

IGBT, N, TO-247; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG20N60A4; Fall Time tf:32ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:290W; Power Dissipation Ptot Max:290W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:12ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V

Технология/семейство	SMPS Series
Наличие встроенного диода	Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	70
Импульсный ток коллектора (Icm), А	280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	73
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5

HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация