HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]

Фото 2/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]Фото 3/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Фото 1/3 HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
928 шт. со склада г.Москва
340 руб.
от 15 шт.323 руб.
от 150 шт.321 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000044129
Артикул: HGTG20N60A4D
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Корпус TO-247-3

Технические параметры

Технология/семейство SMPS
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 73
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура igbt+диод
Управляющее напряжение,В 5.5
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG20N60A4D datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet HGTG20N60A4D
pdf, 252 КБ
Datasheet HGTG20N60A4D
pdf, 267 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах