Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor › HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS ...

HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

570 руб.

от 15 шт. — 473 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.

Номенклатурный номер: 35468

Артикул: HGTG20N60B3 [HG20N60B3]

PartNumber: HGTG20N60B3

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

IGBT,N CH,600V,40A,TO-247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:165W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Power Dissipation Max:165W; Transistor Type:IGBT

Технические параметры

Технология/семейство	UFS Series
Наличие встроенного диода	Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	40
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	165
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5