HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А TO247AC

Артикул: HGTG20N60B3
Ном. номер: 35468
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А TO247AC
Фото 2/3 HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А TO247ACФото 3/3 HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А TO247AC
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
280 руб. × = 280 руб.
от 5 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 192 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG20N60B3 is a N-channel IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The generation III UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C.

• Short-circuit rating
• 140ns at 150°C Typical fall time
• 165W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-40…150
Дополнительные опции
выдерживает 4мкс кз
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet HGTG20N60B3
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов