HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]

Фото 2/2 HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
Фото 1/2 HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
440 шт. со склада г.Москва
320 руб.
от 15 шт.299 руб.
от 150 шт.297 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000285894
Артикул: HGTG20N60B3D
Производитель: ON Semiconductor

Описание

150 ° C Время падения

Технические параметры

Технология/семейство ufs
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 165
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG20N60B3D
pdf, 301 КБ
Datasheet HGTG20N60B3D
pdf, 280 КБ
Datasheet HGTG20N60B3D
pdf, 295 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах