HGTG27N120BN, 72A/1200V N-

HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
Цена и сроки поставки по запросу
390 руб.
от 5 шт.340 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 56075
Артикул: HGTG27N120BN
Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

The HGTG27N120BN is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 140ns at TJ = 150°C Fall time

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 72
Импульсный ток коллектора (Icm), А 216
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 195
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 9.2
Дополнительные опции выдерживает 8мкс кз
Вес, г 4.99

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet HGTG27N120BN
Datasheet HGTG27N120BN
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов