HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]

Фото 2/4 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]Фото 3/4 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]Фото 4/4 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
Фото 1/4 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
675 шт. со склада г.Москва
580 руб.
от 15 шт.564 руб.
от 150 шт.562 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000024160
Артикул: HGTG30N60A4D
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 75 А, Напряжение насыщения К-Э 2.6 В, Максимальная мощность 463 Вт, Заряд затвора 225 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Технология/семейство SMPS
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 150
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 7
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG30N60A4D datasheet
pdf, 209 КБ
Datasheet HGTG30N60A4D
pdf, 257 КБ
Datasheet HGTG30N60A4D
pdf, 271 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах