Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А TO247

Артикул: HGTG30N60A4D
Ном. номер: 9000024160
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А TO247
Фото 2/3 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А TO247Фото 3/3 HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А TO247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 рабочих дня.
Возможна срочная доставка сегодня
300 × = 300
от 5 шт. — 260 руб.
от 50 шт. — 242 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG30N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 60ns at TJ = 125°C Fall time

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.6
Управляющее напряжение,В
7
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

HGTG30N60A4D datasheet
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60A4D
Datasheet HGTG30N60A4D
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов