Мой регион: Россия

HGTG30N60B3, 60A/600V N-

Ном. номер: 32599
PartNumber: HGTG30N60B3
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 HGTG30N60B3, 60A/600V N-
Фото 2/2 HGTG30N60B3, 60A/600V N-
249 руб.
340 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 243 руб.
от 100 шт. — 236 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
760 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
840 руб. 2 недели, 144 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 410 руб.
от 20 шт. — 357 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The HGTG30N60B3 is a PT IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.

• Short-circuit rating
• 1.45V @ IC = 30A Low saturation voltage
• 90ns Fall time @ TJ = 150°C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60B3, 60A/600V N- HGTG30N60B3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.