Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]

Артикул: HGTG30N60B3D
Ном. номер: 9000026074
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
Фото 2/2 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
Есть в наличии более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
450 × = 450
от 5 шт. — 380 руб.
от 30 шт. — 364 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The HGTG30N60B3D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25° C and 150° C. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 90ns at TJ = 150°C Fall time

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.45
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

HGTG30N60B3D
pdf, 228 КБ

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60B3D
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов