HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]

Фото 2/5 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]Фото 3/5 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]Фото 4/5 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]Фото 5/5 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
Фото 1/5 HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
78 шт. со склада г.Москва
290 руб.
от 15 шт.280 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000026074
Артикул: HGTG30N60B3D
Производитель: ON Semiconductor

Описание

150 ° C Время падения

Технические параметры

Технология/семейство ufs
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 137
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG30N60B3D
pdf, 228 КБ
Datasheet
pdf, 311 КБ
Datasheet
pdf, 424 КБ
Datasheet
pdf, 295 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах