Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: HGTG30N60C3D
Ном. номер: 8000958007
Производитель: Fairchild Semiconductor
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 21 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
670 × = 670
от 10 шт. — 562 руб.

Описание

The HGTG30N60C3D is a N-channel IGBT with anti-parallel hyperfast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.

• Short-circuit rating
• 230ns Fall time @ TJ = 150°C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
208Вт
DC Ток Коллектора
63А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.8В

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60C3D