HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]

HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
318 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 15 шт.158 руб.
от 150 шт.156 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9110051033
Артикул: HGTG5N120BND
Производитель: ON Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 6.8
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG5N120BND
pdf, 159 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах