HYG15P120A1K1, Модуль IGBT, 3 Phase Bridge, 20 A, 1200 V 22-Pin

Фото 2/2 HYG15P120A1K1, Модуль IGBT, 3 Phase Bridge, 20 A, 1200 V 22-Pin
Фото 1/2 HYG15P120A1K1, Модуль IGBT, 3 Phase Bridge, 20 A, 1200 V 22-Pin
1 шт. со склада г.Москва
3 120 руб.
от 5 шт.2 900 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 120 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000772072
Артикул: HYG15P120A1K1
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: HY Electronic (Cayman) Limited

Описание

Модули IGBT, HY Electronic
Этот диапазон модулей IGBT от HY Electronic поставляется в стандартных корпусах с паяными штырями, предназначенными для монтажа на печатной плате. Подходящие приложения для этих модулей IGBT включают: инверторы для моторных приводов, усилители сервоприводов переменного и постоянного тока и источники бесперебойного питания.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +125 °C
Length 62.8мм
Transistor Configuration Трехфазный
Brand HY Electronic Corp
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Power Dissipation 156 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -40 °C
Width 34мм
Высота 12мм
Pin Count 22
Dimensions 62.8 x 34 x 12mm
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вес, г 23.5

Техническая документация

0900766b814b5d43
pdf, 1179 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах