HYG15P120A1K1, HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7 недель
9 820 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 820 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
This range of IGBT modules from HY Electronic come in industry standard packages with soldering pins designed for PCB mounting.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 22 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 23.5 |
Техническая документация
0900766b814b5d43
pdf, 1179 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
