ICL7621DCBAZ, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 480 кГц, 0.16 В/мкс, ± 1В до ± 8В, SOIC, 8 вывод(-ов)
см. техническую документацию
|
450 руб.
|
4628 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели |
|
|
от 10 шт. —
335 руб.
от 25 шт. —
301 руб.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 220 руб. | 7 дней, 1470 шт. | 98 шт. | 98 шт. | |
|
от 490 шт. — 200 руб.
от 980 шт. — 175 руб.
|
||||
| 394 руб. | 3-5 недель, 5 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
| 310 руб. | 7 дней, 1485 шт. | 5 шт. | 5 шт. | |
|
от 50 шт. — 250 руб.
от 100 шт. — 218 руб.
от 250 шт. — 203.40 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
The ICL7621DCBAZ is a low power monolithic dual CMOS Operational Amplifier for use with high impedance buffers. This device provides the designer with high performance operation at low supply voltages and selectable quiescent currents. It is an ideal design tool when ultra low input current and low power dissipation are desired. The basic amplifier will operate at supply voltages ranging from ±1 to ±8V and may be operated from a single Lithium cell. The output swing ranges to within a few millivolts of the supply voltages. The quiescent supply current of these amplifiers is set to 100µA at the factory. This results in power consumption as low as 200µW per amplifier. These features optimize performance in very high source impedance applications. The inputs are internally protected. Outputs are fully protected against short circuits to ground or to either supply.
• 10¹²R High input impedance
• 1pA Typical output voltage swing
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | 0 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 70 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Полоса Пропускания | 480кГц |
| Диапазон Напряжения Питания | ± 1В до ± 8В |
| Стиль Корпуса Усилителя | SOIC |
| Скорость нарастания | 0.16В/мкс |
| Количество Усилителей | 2 Усилителя |
| Количество каналов на ИС | 2 |
| Максимальная рабочая температура | +70 °C |
| Длина | 5мм |
| Типичное одиночное напряжение питания | 3 → 15 V |
| Типичная скорость нарастания | 0.16В/мкс |
| Типичное усиление по напряжению | 102 dB |
| Тип источника питания | Двойной, одиночный |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | 0 °C |
| Ширина | 4мм |
| Типичная интенсивность шумов входного напряжения | 100нВ/√Гц |
| Rail to Rail | No |
| Высота | 1.5мм |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 480кГц |
| Типичное двойное напряжение питания | ±3 V, ±5 V |
| Максимальная рабочая температура | +70 °C |
| Количество каналов на ИС | 2 |
| Length | 5мм |
| Typical Single Supply Voltage | 3 → 15 В |
| Typical Slew Rate | 0.16V/µs |
| Typical Voltage Gain | 102 dB |
| Brand | Renesas Electronics |
| Тип источника питания | Двойной, одиночный |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | 0 °C |
| Ширина | 4мм |
| Типичная интенсивность шумов входного напряжения | 100нВ/√Гц |
| Полный размах напряжений | Нет |
| Высота | 1.5мм |
| Pin Count | 8 |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.5мм |
| Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 480kHz |
| Типичное двойное напряжение питания | ±3 V, ±5 V |
| Вес, г | 0.171 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
