ICL7621DCBAZ, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 480 кГц, 0.16 В/мкс, ± 1В до ± 8В, SOIC, 8 вывод(-ов)

ICL7621DCBAZ, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 480 кГц, 0.16 В/мкс, ± 1В до ± 8В, SOIC, 8 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8090014366
Артикул: ICL7621DCBAZ
Производитель: Renesas Technology
450 руб.
4628 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 335 руб.
от 25 шт. — 301 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
220 руб. 7 дней, 1470 шт. 98 шт. 98 шт.
от 490 шт. — 200 руб.
от 980 шт. — 175 руб.
394 руб. 3-5 недель, 5 шт. 1 шт. 1 шт.
310 руб. 7 дней, 1485 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 250 руб.
от 100 шт. — 218 руб.
от 250 шт. — 203.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Усилители и Компараторы\Операционные Усилители - ОУ

The ICL7621DCBAZ is a low power monolithic dual CMOS Operational Amplifier for use with high impedance buffers. This device provides the designer with high performance operation at low supply voltages and selectable quiescent currents. It is an ideal design tool when ultra low input current and low power dissipation are desired. The basic amplifier will operate at supply voltages ranging from ±1 to ±8V and may be operated from a single Lithium cell. The output swing ranges to within a few millivolts of the supply voltages. The quiescent supply current of these amplifiers is set to 100µA at the factory. This results in power consumption as low as 200µW per amplifier. These features optimize performance in very high source impedance applications. The inputs are internally protected. Outputs are fully protected against short circuits to ground or to either supply.

• 10¹²R High input impedance
• 1pA Typical output voltage swing

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура 0 C
Максимальная Рабочая Температура 70 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Полоса Пропускания 480кГц
Диапазон Напряжения Питания ± 1В до ± 8В
Стиль Корпуса Усилителя SOIC
Скорость нарастания 0.16В/мкс
Количество Усилителей 2 Усилителя
Количество каналов на ИС 2
Максимальная рабочая температура +70 °C
Длина 5мм
Типичное одиночное напряжение питания 3 → 15 V
Типичная скорость нарастания 0.16В/мкс
Типичное усиление по напряжению 102 dB
Тип источника питания Двойной, одиночный
Тип корпуса SOIC
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура 0 °C
Ширина 4мм
Типичная интенсивность шумов входного напряжения 100нВ/√Гц
Rail to Rail No
Высота 1.5мм
Число контактов 8
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 480кГц
Типичное двойное напряжение питания ±3 V, ±5 V
Максимальная рабочая температура +70 °C
Количество каналов на ИС 2
Length 5мм
Typical Single Supply Voltage 3 → 15 В
Typical Slew Rate 0.16V/µs
Typical Voltage Gain 102 dB
Brand Renesas Electronics
Тип источника питания Двойной, одиночный
Package Type SOIC
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура 0 °C
Ширина 4мм
Типичная интенсивность шумов входного напряжения 100нВ/√Гц
Полный размах напряжений Нет
Высота 1.5мм
Pin Count 8
Dimensions 5 x 4 x 1.5мм
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 480kHz
Типичное двойное напряжение питания ±3 V, ±5 V
Вес, г 0.171

Дополнительная информация

Datasheet ICL7621DCBAZ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.