IDH03G65C5, SiC Schottky Diode thinQ

PartNumber: IDH03G65C5
Ном. номер: 8144018335
Производитель: Infineon Technologies
IDH03G65C5, SiC Schottky Diode thinQ
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
220 руб. × = 1 100 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 180 руб.
от 25 шт. — 151 руб.

Описание

thinQ! ™ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ! ™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The thinQ! ™ Schottky Diode by Infineon have a selection of voltages from 600V, 650V and 1200V. Infineon's 1200V SiC diode is highly efficient and has no losses when operating at 1200 volts. The SiC Schottky Diode Silicon Carbide devices offer features for high voltage power semiconductors such as higher breakdown field strength and thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.

Diodes and Rectifiers, Infineon

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
10.2 x 4.5 x 15.95
Тип диода
SiC Schottky
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Пиковое прямое напряжение
2.1V
Пиковый обратный ток
370
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
650V
Число контактов
2
Ширина
4.5mm
Diode Configuration
Single
Высота
15.95mm
Длина
10.2mm
Тип монтажа
Through Hole
Рассеиваемая мощность
42W

Дополнительная информация

IDH03G65C5, 5 Generation thinQ! 650V SiC Schottky Diode