IDH04G65C6XKSA1, Карбидокремниевый диод Шоттки, CoolSiC 6G 650V Series, Одиночный, 650 В, 12 А, 6.9 нКл, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
378 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 900 руб.
Описание
The Infineon CoolSiC generation 6 offers a new leading edge technology for the schottky barrier diode with current rating of 4 A.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 4A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PG-TO220 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 2.751 |
Техническая документация
Datasheet IDH04G65C6XKSA1
pdf, 952 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
