Мой регион: Россия

IDH20G65C5XKSA2, SiC Schottky Diode thinQ

PartNumber: IDH20G65C5XKSA2
Ном. номер: 8000005891
Производитель: Infineon Technologies
IDH20G65C5XKSA2, SiC Schottky Diode thinQ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 080 руб.
5 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 3 шт. — 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 080 руб.
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ! ™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.

Semiconductors

Технические параметры

Diode Configuration
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.2мм
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток
20A
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.5мм
Высота
15.95мм
Maximum Forward Voltage Drop
2.1V
Число контактов
2
Размеры
10.2 x 4.5 x 15.95мм
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
142A
Рассеиваемая мощность
110W
Пиковый обратный ток
1.45mA
Тип диода
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
650V
Diode Technology
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.