IDM05G120C5XTMA1, Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ 5G 1200V Series, Одиночный, 1.2 кВ, 22.2 А, 24 нКл, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
770 руб.
от 100 шт. —
607 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 5 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes.
Технические параметры
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 5A |
| Mounting Type | SMD |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252-2) |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1165 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
