IGB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
490 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор БТИЗ IGB20N60H3ATMA1 от производителя INFINEON является высококачественным полупроводниковым прибором, предназначенным для среднего и высокого напряжения. При монтаже используется SMD-технология, что облегчает интеграцию в печатные платы. Ток коллектора достигает 20 А, что делает его подходящим для мощных применений. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, обеспечивая надежную работу в условиях высоких напряжений. Мощность устройства составляет 170 Вт, что подчеркивает его эффективность в преобразовании энергии. Корпус PG-TO263-3 способствует удобному монтажу и теплоотводу. Модель IGB20N60H3ATMA1 отлично подойдет для самых разнообразных электронных схем, где требуется надежный и долговечный IGBT-транзистор. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 170 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
| Collector Current | 40А |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 40(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 73 КБ
Документация
pdf, 1635 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
