IGP50N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8237796003
Артикул: IGP50N60TXKSA1
Производитель: Infineon Technologies
IGP50N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 руб.
1 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
350 руб. 8 дней, 200 шт. 50 шт. 50 шт.
440 руб. 8 дней, 228 шт. 4 шт. 4 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

The IGP50N60T is a 600V Discrete IGBT Single Transistor without anti-parallel diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
• High ruggedness, temperature stable behavior
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
• High device reliability
• ±20V Gate to emitter voltage (VGE)
• 0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
• 40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Energy Rating
3.6mJ
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4.57мм
Высота
15.95мм
Число контактов
3
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Емкость затвора
3140пФ
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Длина
10.36мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage
600 В
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Тип корпуса
TO-220
Maximum Power Dissipation
333 W
Номинальная энергия
3.6mJ
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Ширина
4.57мм
Height
15.95mm
Pin Count
3
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Channel Type
N
Gate Capacitance
3140pF
Вес, г
1.95

Дополнительная информация

Datasheet IGP50N60TXKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.